Типы оперативной памяти для современных ПК

В современных ПК применяются такие модули оперативной памяти, как DDR SDRAM, DDR2 SDRAM и DDR3 SDRAM и буквально не давно появился новый стандарт памяти DDR4. В этой статье мы рассмотрим каждую из них в отдельности, что поможет Вам подобрать для своего компьютера максимально подходящий для Ваших целей модуль оперативной памяти. Кстати, с помощью спецальных программ можно определить, какой тип памяти используется на вашем компьютере.



Для начала мы предлагаем Вам ознакомиться с таблицей, в которой представлены основные параметры оперативной памяти.


DDR SDRAM – удвоенная скорость передачи данных синхронной памяти с произвольным доступом) — тип оперативной памяти, используемой в ПК. Благодаря DDR SDRAM достигается большая полоса пропускания, чем с обыкновенной SDRAM, за счёт передачи данных по фронту и по срезу сигнала. Благодаря этому скорость передачи данных практически удваивается, без увеличения при этом частоты шины памяти. Таким образом, при работе DDR на частоте 100 МГц мы получим эффективную частоту 200 МГц (при сравнении с аналогом SDR SDRAM).

Кроме передачи двух данных за такт, DDR SDRAM имеет несколько других принципиальных отличий от простой памяти SDRAM. В основном они являются технологическими. Например, был добавлен сигнал QDS, который располагается на печатной плате вместе с линиями данных. По нему происходит синхронизация при передаче данных. При использовании двух модулей памяти данные от них приходят к контроллеру памяти с небольшой разницей во времени из-за разного расстояния до модулей. Это вызывает проблемы в выборе синхросигнала для их считывания, которые успешно решает использование QDS.

Модули памяти DDR SDRAM отличаются от SDRAM и по числу выводов (184 вывода у модулей DDR против 168 выводов у модулей с обычной SDRAM). При этом модули DDR работают при напряжении питания 2,5 В, в отличие от SDRAM, которая работает при 3,3 В, что существенно снижает тепловыделение.


DDR2 SDRAM – удвоенная скорость передачи данных синхронной памяти с произвольным доступом) — в настоящее время этот тип ОЗУ наиболее распространен. DRR3 ощутимо дороже, но это всего лишь дело времени, поскольку в ближайшем будущем DDR2 будет полностью вытеснен.

Как и DDR, DDR2 SDRAM использует передачу данных по обоим срезам тактового сигнала, за счёт этого при такой же частоте шины памяти, как и в обычной SDRAM, можно фактически удвоить скорость передачи данных (например, при работе DDR2 на частоте 100 МГц эффективная частота получается 200 МГц).

Основное отличие DDR2 от DDR — вдвое большая частота работы шины, по которой данные передаются в буфер микросхемы памяти. При этом работа самой микросхемы осталась такой же, что и в DDR (то есть, с теми же задержками), но при большей скорости передачи информации. DDR2 не совместима с DDR, так как на модулях DDR2 ключ расположен в другом месте по сравнению с DDR и вставить модуль DDR2 в разъём DDR, не повредив последний, невозможно. Более скоростные модули DDR2 совместимы с более медленными, при этом работа возможна на частоте самого медленного модуля системы. Для использования в ПК DDR2 SDRAM поставляется в модулях DIMM с 240 контактами.


DDR3 SDRAM – удвоенная скорость передачи данных синхронной памяти с произвольным доступом) - этот тип памяти обладает более высокой полосой пропускания. Сокращает потребление энергии на 40% по сравнению с модулями DDR2, благодаря применению 90 нм технологии производства, что позволяет снизить эксплуатационные токи и напряжения (1,5 В по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR). Также применяются «Dual-gate» транзисторы для сокращения утечки тока, что обеспечивает более длительное время работы батарей в ноутбуках. Улучшенная конструкция способствует более качественному охлаждению.


DDR4 SDRAM (double-data-rate three synchronous dynamic random access memory) – новый тип оперативной памяти, отличающийся от предыдущих поколений более высокими частотными характеристиками и низким напряжением. Будет поддерживать частоты от 2133 до 4266 МГц. В массовое производство выйдет предположительно в 2012 году. 4 января 2011 на выставке CES компания Samsung официально представила новые модули, работающие в режиме DDR4-2133 при напряжении 1,2 В.