Samsung начинает изготовление 40-нм микросхем DDR3-памяти

Южнокорейская компания Samsung Semiconductor, подразделение "головной" Samsung Electronics, сообщило о начале серийного изготовления первых в мире 40-нм интегральных микросхем стандарта DDR3 и информационной емкостью 2 Гбит. Новые микросхемы памяти характеризуются следующими параметрами: рабочее напряжение 1,35 Вольт, пропускная способность 1,6 Гбит/с. Использоваться устройства планируется в качестве основы для модулей оперативной памяти формата DIMM и SODIMM объемом до 4 Гб, а также, регистровой памяти объемом вплоть до 16 Гб.

Как отмечают сами разработчики, их новинки представляют на текущий момент наиболее "продвинутые" интегральные микросхемы для вычислительных систем самого различного уровня, вплоть до производительных серверов. Но при этом, 40-нм микросхемы оперативной памяти выгодно отличаются от своих конкурентов сниженным энергопотреблением, что и является результатом перехода на более прецизионных техпроцесс.