Renesas выпускает самую быструю память QDR II+ и DDR II+ SRAM плотностью 72 Мбит

Компания Renesas Technology представила семейство микросхем высокоскоростной памяти Quad Data Rate II+ (QDR™ II+) и Double Data Rate II+ (DDRII+) SRAM плотностью 72 Мбит, предназначенных для сетевого оборудования. Говоря более точно, новая память рассчитана на использование в высокопроизводительных маршрутизаторах и коммутаторах для сетей нового поколения, включая 10G и 40G. По данным производителя, на данный момент она является самой быстродействующей памятью, соответствующей стандарту QDR. Одновременно были выпущены микросхемы памяти QDRII и DDR II SRAM плотностью 72 Мбит.

Тактовая частота QDRII+ и DDRII+ SRAM равна 533 МГц, QDRII и DDRII — 333 МГц. Память изготавливается по нормам 45 нм. Предусмотрен выпуск вариантов, различающихся шириной шины ввода-вывода (9, 18 или 36 бит) и длиной пакета (два или четыре слова). Кроме того, Renesas будут выпускать модификации с интегрированными терминаторами (уменьшающими деградацию сигнала при высокоскоростной передаче).

Микросхемы оформлены в 165-контактных пластиковых корпусах типа FBGA размерами 15 х 17 мм. Конфигурация выводов памяти QDR предусматривает простой переход в будущем к микросхемам большей плотности — до 288 Мбит. Поставки новинок начнутся в августе.