Добавить в избранное | Навигацция по сайту
Навигация
Программы для:
Новости Software
Программа Screenpresso - для захвата изображения с экрана
Программа Screenpresso – это доступное приложение для использования изображения с экрана, ...
Новые обновления от Microsoft
Корпорация Microsoft, согласно разосланному ранее предварительному уведомлению, планирует ...
ICQ 7 – новая версия
Возможности пользователя для общения в «аське» ICQ 6.5 не соответствует новейшим правилам....
Alcohol 120% и Alcohol 52% обновились до версии 2.0
Наиболее известная программа для изготовления виртуальных образов оптических дисков, Alcoh...
Internet Explorer 9 - первые подробности
Фирма Opera Software и Mozilla с каждым днем улучшает свои браузеры, и Microsoft так же не...
Microsoft представила новую файловую систему ReFS
На днях корпорация Microsoft представила абсолютно новую файловую систему....
Информация о цене Microsoft Office 2010
На шоу мобильной электроники CES 2010 компания Microsoft проинформировала о цене различных...
Новые подробности о Windows 8
О том, что корпорация Microsoft готовит некоторые изменения интерфейса в своей будущей опе...
Новости партнеров
  Главная » Оперативная память » Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу  

Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

Южнокорейская компания Samsung Electronics решила укрепить свое лидерство на рынке оперативной памяти, и запустила производство памяти на новой фабрике Line-16. Фабрика уже начала свою работу, и по заверениям представителей компании является крупнейшим в мире предприятием такого класса. Общая площадь помещений 12-этажного здания фабрики составляет приблизительно 200000 кв.м., при этом на строительство было потрачено около 10 млрд. долларов. Фабрика расположена на северо-западе страны в городе Хвасон, и является частью производственного комплекса корпорации — Nano City Complex.

В настоящее время на фабрике Line-16 уже производится память DDR3 DRAM, которая выполняется по 20-нм технологическому процессу. При этом мощности предприятия позволяют осуществлять и выпуск флеш-памяти. Именно поэтому с запуском Line-16 Samsung укрепляет свое лидерство на рынках DRAM и флэш памяти.

Выполненная по техпроцессу 20-нм DDR3 память от Samsung, по сравнению с чипами, выполненными по 30-нм технологии, способна на 40% снизить потребление энергии, и на 50% повысить производительность. Для начала планируется производство чипов объемом до 2-Гб с 2xnm DDR3 DRAM памятью, но уже к концу этого года корпорация собирается наладить производство 4Гб чипов. На их основе будут производиться модули памяти с высокой емкостью — 16 и 32 Гб.


23.09.11
Другие новости компьютерного железа:
Добавление комментария
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:

Популярные новости
Новости Hardware
»MP3 плеер Explay
Новейший MP3 плеер Explay L88 на основе флеш-памяти был представлен фирмой Explay....
»USB флэшка с пинкодом
Данное изобретение – это еще один накопитель для людей, которые чересчур сильно обеспокоен...
»Процессорный кулер MUX-120 от Thermaltake
Фирма Thermaltake, популярная каждому продвинутому компьютерщику своими системами охлажден...
»Diamoncrysta WIDE RDT232WX монитор с IPS матрицей от Mitsubi...
Состоялся релиз нового монитора от фирмы Mitsubishi с названием Diamoncrysta WIDE RDT232WX...
»Карта памяти Transcend SXDC емкостью 128Гб
Тайваньская компания Transcend Information, представила новую карту-памяти. Новинка ориент...
Перепечатка публикаций разрешается только при размещении ссылки на Razgonu.ru
Компьютерные новости © 2009-2015.