Добавить в избранное | Навигацция по сайту
Навигация
Программы для:
Новости Software
В Adobe Reader и Flash Player найдена уязвимость
Как стало известно, пакеты Adobe Reader и Flash Player имеют критическую уязвимость....
В Firefox 14 будет "Click-to-Play"
Достоянию общественности стали известны некоторые подробности о функциональных возможностя...
Одноклассники.ru - регистрация снова бесплатна
Когда-то многих поразила новость о том, чтобы зарегистрироваться на "Одноклассника&qu...
Opera 10.5 - релиз новой версии
Начало месяца ознаменовалось новым релизом версии Opera популярного браузера по всему миру...
Новый государственный поисковик в рунете?
Как говорят "Ведомости", государство не планирует финансировать проект создания...
Московские власти хотят закрыть www.torrents.ru
Быть лучшим всегда приятние, чем вторым, поэтому НАШИ показать себя лучшими решили перед З...
Опасная уязвимости в Windows 7 и Windows Server 2008
Внимание, уязвимое место в программных платформах от Microsoft! И нет пока лекарства от эт...
Яндекс.Диск открыт для всех
Компания Яндекс открыла свой облачный сервис Яндекс.Диск для всех пользователей. Теперь в ...
Новости партнеров
  Главная » Оперативная память » Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу  

Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

Южнокорейская компания Samsung Electronics решила укрепить свое лидерство на рынке оперативной памяти, и запустила производство памяти на новой фабрике Line-16. Фабрика уже начала свою работу, и по заверениям представителей компании является крупнейшим в мире предприятием такого класса. Общая площадь помещений 12-этажного здания фабрики составляет приблизительно 200000 кв.м., при этом на строительство было потрачено около 10 млрд. долларов. Фабрика расположена на северо-западе страны в городе Хвасон, и является частью производственного комплекса корпорации — Nano City Complex.

В настоящее время на фабрике Line-16 уже производится память DDR3 DRAM, которая выполняется по 20-нм технологическому процессу. При этом мощности предприятия позволяют осуществлять и выпуск флеш-памяти. Именно поэтому с запуском Line-16 Samsung укрепляет свое лидерство на рынках DRAM и флэш памяти.

Выполненная по техпроцессу 20-нм DDR3 память от Samsung, по сравнению с чипами, выполненными по 30-нм технологии, способна на 40% снизить потребление энергии, и на 50% повысить производительность. Для начала планируется производство чипов объемом до 2-Гб с 2xnm DDR3 DRAM памятью, но уже к концу этого года корпорация собирается наладить производство 4Гб чипов. На их основе будут производиться модули памяти с высокой емкостью — 16 и 32 Гб.


23.09.11
Другие новости компьютерного железа:
Добавление комментария
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:

Популярные новости
Новости Hardware
»Foxconn материнская плата
Производитель Foxconn анонсировал новую материнскую плату A88GM, изготовленную для работы ...
»Kingston HyperX LoVo - экологичная память
Фирма Kingston одна из тех кто с энтузиазмом встала на путь борьбы за экологию Вселенной. ...
»Видеокарта ARES Radeon HD 5870 ROG
Серия очень работоспособных и не менее дорогих графических акселераторов ARES от тайваньск...
»300 евро за Флэшка
У компания Corsair появились новые модели флэш-накопителей с интерфесом USB - флэшки Voyag...
»Разгон процессора Q6600 со степпингом B3
Сайты – они как люди. Чаще всего сообщают довольно обыденные вещи, иногда лепечут какую-то...
Перепечатка публикаций разрешается только при размещении ссылки на Razgonu.ru
Компьютерные новости © 2009-2015.