Добавить в избранное | Навигацция по сайту
Навигация
Программы для:
Новости Software
WordPress – статистические данные
Во всех рейтингах систем управления контентом лидирующие позиции прочно удерживает самая п...
Windows 8.1 Preview доступна для свободного тестирования
26 июня 2013 года в Сан-Франциско стартовала конференция разработчиков Build, в ходе котор...
Новая часть Need for Speed выйдет к концу года
По сообщению от фирмы Electronic Arts чтало известно, что гейм-девелоперская студия Criter...
Банковский троян распространяют через Skype
Компания «Доктор Веб» предупредила о широком распространении банковских троянцев семейства...
В Firefox 14 будет "Click-to-Play"
Достоянию общественности стали известны некоторые подробности о функциональных возможностя...
Опция восстановления контактов в Gmail
Команда Gmail, выполняющая самые новаторские задумки Google, воплотила в жизнь новую функц...
Скоро релиз Mozilla Firefox 3.6
Фирма Mozilla проинформировала о выпуске предполагаемого варианта современной версии своег...
Что нового будет в iPhone OS 4.0
Буквально на днях западные журналисты с интересом проинформировали о современной операцион...
Новости партнеров
  Главная » Оперативная память » Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу  

Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

Южнокорейская компания Samsung Electronics решила укрепить свое лидерство на рынке оперативной памяти, и запустила производство памяти на новой фабрике Line-16. Фабрика уже начала свою работу, и по заверениям представителей компании является крупнейшим в мире предприятием такого класса. Общая площадь помещений 12-этажного здания фабрики составляет приблизительно 200000 кв.м., при этом на строительство было потрачено около 10 млрд. долларов. Фабрика расположена на северо-западе страны в городе Хвасон, и является частью производственного комплекса корпорации — Nano City Complex.

В настоящее время на фабрике Line-16 уже производится память DDR3 DRAM, которая выполняется по 20-нм технологическому процессу. При этом мощности предприятия позволяют осуществлять и выпуск флеш-памяти. Именно поэтому с запуском Line-16 Samsung укрепляет свое лидерство на рынках DRAM и флэш памяти.

Выполненная по техпроцессу 20-нм DDR3 память от Samsung, по сравнению с чипами, выполненными по 30-нм технологии, способна на 40% снизить потребление энергии, и на 50% повысить производительность. Для начала планируется производство чипов объемом до 2-Гб с 2xnm DDR3 DRAM памятью, но уже к концу этого года корпорация собирается наладить производство 4Гб чипов. На их основе будут производиться модули памяти с высокой емкостью — 16 и 32 Гб.


23.09.11
Другие новости компьютерного железа:
Добавление комментария
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:

Популярные новости
Новости Hardware
»Жесткий диск SATA
На днях японская компания Toshiba представила пару компактных 2.5-дюймовых жестких дисков....
»Технология DualBIOS пропишется во всех платах Gigabyte
Компания Gigabyte Technology с недавних пор решила оснащать функцией DualBIOS все свои мат...
»Radeon HD 4650 AGP-версии - Изучаем внешность
Пока компания PowerColor кормила всех обещаниями выпустить AGP-версию Radeon HD 4670 и пыт...
»Fly IQ450 Horizon – Android смартфон с большим экраном
Бренд Fly представил на российском рынке новый смартфон. Новинка, получившая наименование ...
»Стильный игровой ноутбук Lesance GSN801GAW
Вопрос для размышления: во сколько бы вы оценили полнофункциональный ноутбук, которому под...
Перепечатка публикаций разрешается только при размещении ссылки на Razgonu.ru
Компьютерные новости © 2009-2015.