Добавить в избранное | Навигацция по сайту
Навигация
Программы для:
Новости Software
Драйвер NVIDIA ForceWare 266.58 WHQL
Недавно компанией Nvidia было проведено очередное обновление драйвера для собственных наст...
Программа Screenpresso - для захвата изображения с экрана
Программа Screenpresso – это доступное приложение для использования изображения с экрана, ...
Пользователи интернета в России
Хотите загадку? Какой праздник наши любители интернета стали отмечать 30 сентября 1998 год...
ВКонтакте договаривается о легализации музыкального контента
"Антипиратский" закон, который был подписан Владимиром Путиным несколько дней на...
Новая версия Dr.Web
Антивирусная программа Доктор Веб сегодня обновилась до версии Dr.Web 6.0 для Windows 32- ...
Новая версия Auslogics BoostSpeed
Auslogics BoostSpeed - это пакет утилит, включающий огромный набор инструментов....
Новые возможности сервиса YouTube
В июне месяце прошлого года мы сообщали, что на YouTube появился видеоредактор....
3D Canvas трехмерный редактор
Есть ли у вас желание учиться работать с 3D моделями, а также самостоятельно изобретать их...
Новости партнеров
  Главная » Оперативная память » Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу  

Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

Южнокорейская компания Samsung Electronics решила укрепить свое лидерство на рынке оперативной памяти, и запустила производство памяти на новой фабрике Line-16. Фабрика уже начала свою работу, и по заверениям представителей компании является крупнейшим в мире предприятием такого класса. Общая площадь помещений 12-этажного здания фабрики составляет приблизительно 200000 кв.м., при этом на строительство было потрачено около 10 млрд. долларов. Фабрика расположена на северо-западе страны в городе Хвасон, и является частью производственного комплекса корпорации — Nano City Complex.

В настоящее время на фабрике Line-16 уже производится память DDR3 DRAM, которая выполняется по 20-нм технологическому процессу. При этом мощности предприятия позволяют осуществлять и выпуск флеш-памяти. Именно поэтому с запуском Line-16 Samsung укрепляет свое лидерство на рынках DRAM и флэш памяти.

Выполненная по техпроцессу 20-нм DDR3 память от Samsung, по сравнению с чипами, выполненными по 30-нм технологии, способна на 40% снизить потребление энергии, и на 50% повысить производительность. Для начала планируется производство чипов объемом до 2-Гб с 2xnm DDR3 DRAM памятью, но уже к концу этого года корпорация собирается наладить производство 4Гб чипов. На их основе будут производиться модули памяти с высокой емкостью — 16 и 32 Гб.


23.09.11
Другие новости компьютерного железа:
Добавление комментария
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:

Популярные новости
Новости Hardware
»Lenovo ThinkCentre M71z универсальный моноблок
На российском рынке появилась новая настольная система категории «все в одном» от компании...
»Кулер Zalman
Zalman - производитель компьютерных систем охлаждения, на днях выпустил современный VGA ку...
»AM3-материнская плата ASUS для разгона
Компания ASUS приготовила к выпуску новенькие материнские платы для платформы AMD Socket A...
»Наушники Lego - для детей
Большинству с юности или с детства известны конструкторы Lego. У многих беззаботное детств...
»Мышь Gigabyte с кристаллами Сваровски
Являетесь истинными поклонниками гламура, тогда компьютерная мышь тайваньской компании GIG...
Перепечатка публикаций разрешается только при размещении ссылки на Razgonu.ru
Компьютерные новости © 2009-2015.