Добавить в избранное | Навигацция по сайту
Навигация
Программы для:
Новости Software
PhotoZoom - для увеличение картинок
В некоторых случаях бывает, что понравившееся изображение хочется поместить на первую стра...
3D Canvas трехмерный редактор
Есть ли у вас желание учиться работать с 3D моделями, а также самостоятельно изобретать их...
Новые обновления от Microsoft
Корпорация Microsoft, согласно разосланному ранее предварительному уведомлению, планирует ...
ОС Windows7 продается на ура
С большой привилегией Microsoft заявляет о том, что ее современная операционная система Wi...
Вышел Internet Explorer 10 для Windows 7
Корпорация Microsoft выпустила 10-версию Internet Explorer для Windows 7. На текущий момен...
Первый Service Pack 1 для Windows 7 уже этим летом
Стало популярным, что современная операционная система Windows 7, предложенная в октябре п...
Серьёзная уязвимость для Windows 7 и Vista
Безопасность Windows вновь под угрозой - об этом сообщила компания BitDefender....
Windows 7 SP1 бета уже доступна для загрузки
По сообщению корпорации Microsoft, стала доступной для загрузки первая публичная бета-верс...
Новости партнеров
  Главная » Оперативная память » Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу  

Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

Южнокорейская компания Samsung Electronics решила укрепить свое лидерство на рынке оперативной памяти, и запустила производство памяти на новой фабрике Line-16. Фабрика уже начала свою работу, и по заверениям представителей компании является крупнейшим в мире предприятием такого класса. Общая площадь помещений 12-этажного здания фабрики составляет приблизительно 200000 кв.м., при этом на строительство было потрачено около 10 млрд. долларов. Фабрика расположена на северо-западе страны в городе Хвасон, и является частью производственного комплекса корпорации — Nano City Complex.

В настоящее время на фабрике Line-16 уже производится память DDR3 DRAM, которая выполняется по 20-нм технологическому процессу. При этом мощности предприятия позволяют осуществлять и выпуск флеш-памяти. Именно поэтому с запуском Line-16 Samsung укрепляет свое лидерство на рынках DRAM и флэш памяти.

Выполненная по техпроцессу 20-нм DDR3 память от Samsung, по сравнению с чипами, выполненными по 30-нм технологии, способна на 40% снизить потребление энергии, и на 50% повысить производительность. Для начала планируется производство чипов объемом до 2-Гб с 2xnm DDR3 DRAM памятью, но уже к концу этого года корпорация собирается наладить производство 4Гб чипов. На их основе будут производиться модули памяти с высокой емкостью — 16 и 32 Гб.


23.09.11
Другие новости компьютерного железа:
Добавление комментария
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:

Популярные новости
Новости Hardware
»Wing 12 PL вентиляторы с LED-подсветкой
Gelid Solutions предложила два новейших 120-мм вентиляторов для системных блоков. Такие мо...
»Живые фотографии Radeon HD 6970 от PowerColor
До того долгожданного момента, когда произойдет официальный запуск видеоадапторов (серия R...
»Аудиосистема за миллион долларов
Вам не хватает мощности вашей нынешней акустической системы, и вы уже давно подумываете см...
»Rambus и Kingston разработали многопоточные модули DDR-3
Известная своими разработками в сфере технологий работы с памятью и патентными спорами вок...
»Samsung и LG: 40 млн тачфонов на двоих
Компании Samsung и LG одними из первых подхватили успех Apple iPhone, предлагая сенсорные ...
Перепечатка публикаций разрешается только при размещении ссылки на Razgonu.ru
Компьютерные новости © 2009-2015.