Добавить в избранное | Навигацция по сайту
Навигация
Программы для:
Новости Software
Internet Explorer 9 beta уже в сентябре
Корпорация Microsoft продолжает постоянное улучшение своих ОС и программного обеспечения к...
Браузер Lunascap 6.86 – одновременная работа на трех движках
Любители интернет-серфинга наверняка по достоинству оценят новость о том, что японские раз...
Программа Nitro PDF Reader 1.4 распознает ссылки
Недавно был выпущен новый ридер для считывания файлов формата PDF....
Новые возможности сервиса YouTube
В июне месяце прошлого года мы сообщали, что на YouTube появился видеоредактор....
Доля Internet Explorer продолжает падать
Internet Explorer пользуется все меньшей и меньшей популярностью. Так, например, по резуль...
Новый вирус умеет удалять антивирусные программы
«Доктор Веб», известная антивирусная компания, предупреждает своих пользователей о появлен...
Internet Explorer 9 - первые подробности
Фирма Opera Software и Mozilla с каждым днем улучшает свои браузеры, и Microsoft так же не...
Проект Winamp закроют 20 декабря 2013
20 ноября 2013 года для многих людей, привыкших прослушивать музыку на компьютере, было ом...
Новости партнеров
  Главная » Оперативная память » Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу  

Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

Южнокорейская компания Samsung Electronics решила укрепить свое лидерство на рынке оперативной памяти, и запустила производство памяти на новой фабрике Line-16. Фабрика уже начала свою работу, и по заверениям представителей компании является крупнейшим в мире предприятием такого класса. Общая площадь помещений 12-этажного здания фабрики составляет приблизительно 200000 кв.м., при этом на строительство было потрачено около 10 млрд. долларов. Фабрика расположена на северо-западе страны в городе Хвасон, и является частью производственного комплекса корпорации — Nano City Complex.

В настоящее время на фабрике Line-16 уже производится память DDR3 DRAM, которая выполняется по 20-нм технологическому процессу. При этом мощности предприятия позволяют осуществлять и выпуск флеш-памяти. Именно поэтому с запуском Line-16 Samsung укрепляет свое лидерство на рынках DRAM и флэш памяти.

Выполненная по техпроцессу 20-нм DDR3 память от Samsung, по сравнению с чипами, выполненными по 30-нм технологии, способна на 40% снизить потребление энергии, и на 50% повысить производительность. Для начала планируется производство чипов объемом до 2-Гб с 2xnm DDR3 DRAM памятью, но уже к концу этого года корпорация собирается наладить производство 4Гб чипов. На их основе будут производиться модули памяти с высокой емкостью — 16 и 32 Гб.


23.09.11
Другие новости компьютерного железа:
Добавление комментария
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:

Популярные новости
Новости Hardware
»Мощная звуковая карта Auzen X-Fi Bravura 7.1
Дискретные звуковые карты в наше время стали дефицитом – подавляющему большинству пользова...
»Radeon HD 8870 и HD 8850 – характеристики видеокарт
Компания AMD, в буквальном смысле слова, "заваливает" нас новинками. Не успели м...
»Samsung и LG: 40 млн тачфонов на двоих
Компании Samsung и LG одними из первых подхватили успех Apple iPhone, предлагая сенсорные ...
»Western Digital Scorpio Blue: – ультратонкие жесткие диски
Western Digital была замечена с анонсом емких и оригинальных винчестеров Scorpio Blue. В...
»Sigrand SG-17B – самый быстрый SHDSL-модем
Новосибирская компания «Сигранд» представила новый SHDSL модем SG-17B, заявленный как самы...
Перепечатка публикаций разрешается только при размещении ссылки на Razgonu.ru
Компьютерные новости © 2009-2015.