Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

Южнокорейская компания Samsung Electronics решила укрепить свое лидерство на рынке оперативной памяти, и запустила производство памяти на новой фабрике Line-16. Фабрика уже начала свою работу, и по заверениям представителей компании является крупнейшим в мире предприятием такого класса. Общая площадь помещений 12-этажного здания фабрики составляет приблизительно 200000 кв.м., при этом на строительство было потрачено около 10 млрд. долларов. Фабрика расположена на северо-западе страны в городе Хвасон, и является частью производственного комплекса корпорации — Nano City Complex.

В настоящее время на фабрике Line-16 уже производится память DDR3 DRAM, которая выполняется по 20-нм технологическому процессу. При этом мощности предприятия позволяют осуществлять и выпуск флеш-памяти. Именно поэтому с запуском Line-16 Samsung укрепляет свое лидерство на рынках DRAM и флэш памяти.

Выполненная по техпроцессу 20-нм DDR3 память от Samsung, по сравнению с чипами, выполненными по 30-нм технологии, способна на 40% снизить потребление энергии, и на 50% повысить производительность. Для начала планируется производство чипов объемом до 2-Гб с 2xnm DDR3 DRAM памятью, но уже к концу этого года корпорация собирается наладить производство 4Гб чипов. На их основе будут производиться модули памяти с высокой емкостью — 16 и 32 Гб.