Добавить в избранное | Навигацция по сайту
Навигация
Программы для:
Новости Software
Windows 7 бесплатная версия
Если верить не совсем проверенной информацией, то фирма Microsoft в ближайшие деньки выпус...
Новая версия Partition Manager 11
Фирма Paragon начала продажу современной 11-ой версии программы Partition Manager для лучш...
Вышел Internet Explorer 10 для Windows 7
Корпорация Microsoft выпустила 10-версию Internet Explorer для Windows 7. На текущий момен...
Проект Winamp закроют 20 декабря 2013
20 ноября 2013 года для многих людей, привыкших прослушивать музыку на компьютере, было ом...
VSO Image Resizer
Photoshop что это? лишь программа для использования сильнейших графических пакетов только ...
Hard Drive Inspector – программа для тестирования винчестеро...
Рано или поздно наступает такое время, когда надо проверить жесткий диск на ошибки, чтобы ...
Программа Screenpresso - для захвата изображения с экрана
Программа Screenpresso – это доступное приложение для использования изображения с экрана, ...
Менеджер закачек - Download Manager for Windows
Новое ПО от компания Microsoft. Новинка называется Download Manager for Windows и представ...
Новости партнеров
  Главная » Оперативная память » Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу  

Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

Южнокорейская компания Samsung Electronics решила укрепить свое лидерство на рынке оперативной памяти, и запустила производство памяти на новой фабрике Line-16. Фабрика уже начала свою работу, и по заверениям представителей компании является крупнейшим в мире предприятием такого класса. Общая площадь помещений 12-этажного здания фабрики составляет приблизительно 200000 кв.м., при этом на строительство было потрачено около 10 млрд. долларов. Фабрика расположена на северо-западе страны в городе Хвасон, и является частью производственного комплекса корпорации — Nano City Complex.

В настоящее время на фабрике Line-16 уже производится память DDR3 DRAM, которая выполняется по 20-нм технологическому процессу. При этом мощности предприятия позволяют осуществлять и выпуск флеш-памяти. Именно поэтому с запуском Line-16 Samsung укрепляет свое лидерство на рынках DRAM и флэш памяти.

Выполненная по техпроцессу 20-нм DDR3 память от Samsung, по сравнению с чипами, выполненными по 30-нм технологии, способна на 40% снизить потребление энергии, и на 50% повысить производительность. Для начала планируется производство чипов объемом до 2-Гб с 2xnm DDR3 DRAM памятью, но уже к концу этого года корпорация собирается наладить производство 4Гб чипов. На их основе будут производиться модули памяти с высокой емкостью — 16 и 32 Гб.


23.09.11
Другие новости компьютерного железа:
Добавление комментария
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:

Популярные новости
Новости Hardware
»ASUS P7P55 PRO – грядущая плата на чипсете Intel P55
Сотрудникам сетевого ресурса XFastest удалось раздобыть качественное изображение подготовл...
»Системная плата MAXIMUS III FORMULA - для энтузиастов
Фирма Ситилинк объявила о выпуске MAXIMUS III FORMULA – о продвинутой модели системной пла...
»Кулер Propeller 120 для CPU
Системы охлаждения, разрабатываемые компанией Tuniq, никогда не отличались банальным дизай...
»X58 Extreme – ASRock для чипов Core i7
Компания ASRock на днях добавила в ассортимент выпускаемых ею материнских плат модель X58 ...
»Интерфейс PCI Express 3.0
Уже ноябре 2010 года, фирма PCI SIG представит описание характеристик интерфейса PCI Expre...
Перепечатка публикаций разрешается только при размещении ссылки на Razgonu.ru
Компьютерные новости © 2009-2015.