Добавить в избранное | Навигацция по сайту
Навигация
Программы для:
Новости Software
Skype последняя версия
Программа Skype обновилась до версии 5.0 и сегодня прошел ее релиз. Пока что утилита не ус...
Windows XP в скором времени перестанет поддерживаться Micros...
Как стало известно, в ближайшем будущем мировой лидер по разработке программных продуктов ...
AnyDVD 6.6.4.8: снятие защиты с дисков
Обновилась нужная утилита для снятия защиты с любых DVD-дисков....
Light Alloy последняя версия
Медиапроигрыватель Light Alloy имеет все основные функции современных программ....
Программы для раскрутки группы В Контакте Викинг Ботовод и V...
Студия Viking Inviter занимается разработкой профессиональных программ для раскрутки групп...
В Firefox 15 не будет проблем с утечкой памяти
При активной работе с любым браузером, основной из наиболее частых проблем, на которые рег...
Alcohol 120% и Alcohol 52% обновились до версии 2.0
Наиболее известная программа для изготовления виртуальных образов оптических дисков, Alcoh...
Московские власти хотят закрыть www.torrents.ru
Быть лучшим всегда приятние, чем вторым, поэтому НАШИ показать себя лучшими решили перед З...
Новости партнеров
  Главная » Оперативная память » Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу  

Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

Samsung начала производство памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу

Южнокорейская компания Samsung Electronics решила укрепить свое лидерство на рынке оперативной памяти, и запустила производство памяти на новой фабрике Line-16. Фабрика уже начала свою работу, и по заверениям представителей компании является крупнейшим в мире предприятием такого класса. Общая площадь помещений 12-этажного здания фабрики составляет приблизительно 200000 кв.м., при этом на строительство было потрачено около 10 млрд. долларов. Фабрика расположена на северо-западе страны в городе Хвасон, и является частью производственного комплекса корпорации — Nano City Complex.

В настоящее время на фабрике Line-16 уже производится память DDR3 DRAM, которая выполняется по 20-нм технологическому процессу. При этом мощности предприятия позволяют осуществлять и выпуск флеш-памяти. Именно поэтому с запуском Line-16 Samsung укрепляет свое лидерство на рынках DRAM и флэш памяти.

Выполненная по техпроцессу 20-нм DDR3 память от Samsung, по сравнению с чипами, выполненными по 30-нм технологии, способна на 40% снизить потребление энергии, и на 50% повысить производительность. Для начала планируется производство чипов объемом до 2-Гб с 2xnm DDR3 DRAM памятью, но уже к концу этого года корпорация собирается наладить производство 4Гб чипов. На их основе будут производиться модули памяти с высокой емкостью — 16 и 32 Гб.


23.09.11
Другие новости компьютерного железа:
Добавление комментария
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:

Популярные новости
Новости Hardware
»Бюджетная видеокарта GeForce GT 430
Фирма NVIDIA предложила пользователю более бюджетную модель видеокарты, которую уже показа...
»Характеристики и описание нетбука Nokia Booklet 3G
Предварительное описание характеристик первого в истории компании Nokia нетбука мы уже пуб...
»Ноутбук Tecra A11 - с технологией EasyGuard
Японская фирма Toshiba в эти дни предложила одновременно два современных лэптопа на базе п...
»Nokia 500 – смартфон для молодежи
Компания Nokia не перестает радовать нас своими новинками. Вчера был официально анонсирова...
»Ультра тонкий ноутбук - Santech LV1
У сверхтонкого ноутбука Macbook Air от компании Apple скоро появится достойный конкурент, ...
Перепечатка публикаций разрешается только при размещении ссылки на Razgonu.ru
Компьютерные новости © 2009-2015.