Модули moviNAND на базе 30-нм микросхем флэш-памяти
Южнокорейская компания Samsung Electronics не без гордости сообщает о начале поставок на мировой рынок модулей флэш-памяти moviNAND объемом 32 Гб, которые являются первыми устройствами хранения информации, базирующимися на 30-нм интегральных флэш-микросхемах. По сравнению с предыдущим поколением устройств moviNAND новинки имеют вдвое большую информационную емкость, позволяя при небольших размерах хранить значительные объемы данных. Решения moviNAND представляют собой модули флэш-памяти, встраиваемые в современные портативные электронные устройства, и играющие роль встроенного накопителя. Не удивительно, что они полностью поддерживают стандарт embedded MMC (eMMC), в частности, последнюю версию eMMC v4.3, особенностью которого является возможность перевода накопителя в режим ожидания и низкое время возвращение в полноценный рабочий режим. Результатом этого является снижение потребляемой накопителей мощности. Для передачи данных применяется высокоскоростной интерфейс, разработанный JEDEC и MMCA (MultiMediaCard Association).
Каждый модуль moviNAND объемом 32 Гб базируется на восьми интегральных микросхемах памяти емкостью 32 Гбит, изготовленных по 30-нм техпроцессу. Конструкция устройств включает в себя и MMC-контроллер. Помимо «топовой» версии moviNAND компания Samsung поставляет на рынок также и варианты объемом 16 Гб, 8 Гб и 4 Гб.
Представлены спецификации памяти DDR4
Организация JEDEC, которая занимается стандартизацией оперативной памяти для компьютеров, представила спецификации для
Память от Kingston для Sandy Bridge-E
Известный производитель памяти, компания Kingston, с целью обеспечить дополнительную поддержку новой платформе от Intel