Добавить в избранное | Навигацция по сайту
Навигация
Программы для:
Новости Software
Программа X-Setup Pro для настройки windows
Чаще всего тонкая настройка ОС - это огромное количество мануалок....
"День X" - для Windows XP, Vista и 2000
В конце 2009 года было сообщено, что компания Microsoft сообщила пользователям операционно...
Новые возможности сервиса YouTube
В июне месяце прошлого года мы сообщали, что на YouTube появился видеоредактор....
ОС Windows7 продается на ура
С большой привилегией Microsoft заявляет о том, что ее современная операционная система Wi...
Началась регистрация порнодоменов в зоне .ХХХ
7 сентября 2011 года началась приоритетная регистрация доменов в специальном сегменте Сети...
BlackBerry OS 6.0
Всемирная Интернет Паутина каждодневно дополняется фотографиями чего-то неанонсированного....
Windows 7 на третьем месте
Агентство Net Applications провело очередное IT-исследование и опубликовало результаты. В ...
Из обычной флешки можно сделать USB-ключ доступа к компьютер...
Как можно предотвратить несанкционированный доступ к компьютеру во время отсутствия его за...
Новости партнеров
  Главная » Оперативная память » Samsung переходит на 30 нм изготовление памяти DDR-3  

Samsung переходит на 30 нм изготовление памяти DDR-3

Samsung переходит на 30 нм изготовление памяти DDR-3

Фирма Samsung одна из некоторых изготовителей полупроводниковых чипов, выручка за данное изобретения по данным 2009 года увеличилась на много рубликов. Южнокорейский промышленный гигант в 2009 году, как информирует сайт CNN, превысил доходы фирмы HP. Компании Samsung в четвёртом квартале 2009 года смогла вернуться к операционной доходности. В производстве полупроводниковых микросхем у Samsung есть ещё огромный плюс - фирма набирает обороты в освоении современных литографических технологиях, и этим она находится впереди своих соперников.

В данное время фирма Samsung проинформировала, что уже имеет образцы двухгигабитных микросхем памяти типа DDR-3, изготовленных по 30 нм технологии. С переходом на следующую ступень техпроцесса Samsung рассчитывает сохранить преимущество в сфере производства памяти. Сравнивая с 40 нм технологией, современная 30 нм технология способна увеличить объёмы производства на 60%. Сравнивая 50 нм и 60 нм память себестоимости производства при переходе на 30 нм техпроцесс уменьшается в 2 раза, уровень энергопотребления уменьшается на 30%. Происходит потребление всего трех ватт в ноутбуке последнего поколения модуль DDR-3 объёмом 4 Гб на базе 30 нм памяти , это соответствует трём процентам всей электроэнергии, нужной ноутбукам.

Произведенная Samsung по 30 нм технологии память типа DDR-3, способна работать в модулях с номинальным напряжением 1.5 или 1.35 В. Данные планки могут располагаться в настольных системах, ноутбуков и серверов. Наибольшее производство памяти типа DDR-3 по 30 нм технологии фирмы Samsung планируется через 6 месяцев наступившего года.


03.02.10
Другие новости компьютерного железа:
Добавление комментария
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:

Популярные новости
Новости Hardware
»Xilence кулер
Выпущена новая система охлаждения, способная сохранить от перегрева даже кремниевое разогн...
»Pentium E6500K разогнан до 6 ГГц
Процессор Pentium E6500K (2.93 ГГц) со свободным множителем получил статус экспериментальн...
»Материнская плата Gigabyte GA-6PXSV с разъемом LGA 2011
В интернете появились первые подробности и фотографии экспериментального образца новой мат...
»Мощный игровой ноутбук ASUS G73SW
Год только начинается, а тайваньская компания ASUS уже спешит предложить своему требовател...
»Веб-камера с разрешением 1080p от Genius
Известная под торговой маркой Genius, корпорация KYE Systems, представила новую веб-камеру...
Перепечатка публикаций разрешается только при размещении ссылки на Razgonu.ru
Компьютерные новости © 2009-2015.