Добавить в избранное | Навигацция по сайту
Навигация
Программы для:
Новости Software
Bioshock 2 - можно установить до 15 раз
Производители компьютерных игр всевозможными способами оберегают себя от кражи их интеллек...
"ВКонтакте" прекратили поддержку Internet Explorer
Популярная социальная сеть "ВКонтакте" прекращает поддержку браузера Internet Ex...
В Firefox 14 будет "Click-to-Play"
Достоянию общественности стали известны некоторые подробности о функциональных возможностя...
FileZilla 3.3.3: бесплатный FTP-клиент
Новая версия бесплатного FTP-клиента с открытым кодом....
Ok.ru новый домен у "Одноклассники"
Сообщается о том, что социальная сеть "Одноклассники.ру" приобрела права на доме...
Серьёзная уязвимость для Windows 7 и Vista
Безопасность Windows вновь под угрозой - об этом сообщила компания BitDefender....
Skype последняя версия
Программа Skype обновилась до версии 5.0 и сегодня прошел ее релиз. Пока что утилита не ус...
Программа AusLogics BoostSpeed - увелечение скорости компьют...
Как сделать, чтобы работоспособность компьютер была быстрее? Для этого нужно, например, с ...
Новости партнеров
  Главная » Оперативная память » Samsung переходит на 30 нм изготовление памяти DDR-3  

Samsung переходит на 30 нм изготовление памяти DDR-3

Samsung переходит на 30 нм изготовление памяти DDR-3

Фирма Samsung одна из некоторых изготовителей полупроводниковых чипов, выручка за данное изобретения по данным 2009 года увеличилась на много рубликов. Южнокорейский промышленный гигант в 2009 году, как информирует сайт CNN, превысил доходы фирмы HP. Компании Samsung в четвёртом квартале 2009 года смогла вернуться к операционной доходности. В производстве полупроводниковых микросхем у Samsung есть ещё огромный плюс - фирма набирает обороты в освоении современных литографических технологиях, и этим она находится впереди своих соперников.

В данное время фирма Samsung проинформировала, что уже имеет образцы двухгигабитных микросхем памяти типа DDR-3, изготовленных по 30 нм технологии. С переходом на следующую ступень техпроцесса Samsung рассчитывает сохранить преимущество в сфере производства памяти. Сравнивая с 40 нм технологией, современная 30 нм технология способна увеличить объёмы производства на 60%. Сравнивая 50 нм и 60 нм память себестоимости производства при переходе на 30 нм техпроцесс уменьшается в 2 раза, уровень энергопотребления уменьшается на 30%. Происходит потребление всего трех ватт в ноутбуке последнего поколения модуль DDR-3 объёмом 4 Гб на базе 30 нм памяти , это соответствует трём процентам всей электроэнергии, нужной ноутбукам.

Произведенная Samsung по 30 нм технологии память типа DDR-3, способна работать в модулях с номинальным напряжением 1.5 или 1.35 В. Данные планки могут располагаться в настольных системах, ноутбуков и серверов. Наибольшее производство памяти типа DDR-3 по 30 нм технологии фирмы Samsung планируется через 6 месяцев наступившего года.


03.02.10
Другие новости компьютерного железа:
Добавление комментария
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:

Популярные новости
Новости Hardware
»Камерофон Fujitsu F-06B
Совсем скоро на рынке появится супер современный сотовый телефон Fujitsu F-06B, релиз кото...
»Renesas выпускает самую быструю память QDR II+ и DDR II+ SRA...
Компания Renesas Technology представила семейство микросхем высокоскоростной памяти Quad D...
»USB-накопитель объемом 128 ГБ
По словам компании Kingston Technology, ей первой в мире удалось выпустить флэш-накопитель...
»Внешние USB накопители HD-LXU3 и HD-LXVU3 от Buffalo
Известный производитель систем хранения данных, беспроводных сетевых продуктов и мультимед...
»Compal KAX15 MID с выдвижной QWERTY-клавиатурой
На выставке Computex, которая проходит сейчас в Тайбэе, компания Compal представила мобиль...
Перепечатка публикаций разрешается только при размещении ссылки на Razgonu.ru
Компьютерные новости © 2009-2015.