Добавить в избранное | Навигацция по сайту
Навигация
Программы для:
Новости Software
Windows 7 SP1 бета уже доступна для загрузки
По сообщению корпорации Microsoft, стала доступной для загрузки первая публичная бета-верс...
Дополнение к антивирусу
Уверены ли вы что вас компьютер в безопасности от вирусов??? "Конечно"- скажете ...
В Firefox 15 не будет проблем с утечкой памяти
При активной работе с любым браузером, основной из наиболее частых проблем, на которые рег...
Mozilla Firefox 4
Mozilla Firefox вновь претерпевает изменения. Вероятно в конце года состоится релиз версии...
Информация о цене Microsoft Office 2010
На шоу мобильной электроники CES 2010 компания Microsoft проинформировала о цене различных...
"ВКонтакте" прекратили поддержку Internet Explorer
Популярная социальная сеть "ВКонтакте" прекращает поддержку браузера Internet Ex...
Avast Free Antivirus бесплатно
Avast Free Antivirus, бесплатно распространяемый антивирус за лицензию которого не нужно п...
Из обычной флешки можно сделать USB-ключ доступа к компьютер...
Как можно предотвратить несанкционированный доступ к компьютеру во время отсутствия его за...
Новости партнеров
  Главная » Оперативная память » Samsung переходит на 30 нм изготовление памяти DDR-3  

Samsung переходит на 30 нм изготовление памяти DDR-3

Samsung переходит на 30 нм изготовление памяти DDR-3

Фирма Samsung одна из некоторых изготовителей полупроводниковых чипов, выручка за данное изобретения по данным 2009 года увеличилась на много рубликов. Южнокорейский промышленный гигант в 2009 году, как информирует сайт CNN, превысил доходы фирмы HP. Компании Samsung в четвёртом квартале 2009 года смогла вернуться к операционной доходности. В производстве полупроводниковых микросхем у Samsung есть ещё огромный плюс - фирма набирает обороты в освоении современных литографических технологиях, и этим она находится впереди своих соперников.

В данное время фирма Samsung проинформировала, что уже имеет образцы двухгигабитных микросхем памяти типа DDR-3, изготовленных по 30 нм технологии. С переходом на следующую ступень техпроцесса Samsung рассчитывает сохранить преимущество в сфере производства памяти. Сравнивая с 40 нм технологией, современная 30 нм технология способна увеличить объёмы производства на 60%. Сравнивая 50 нм и 60 нм память себестоимости производства при переходе на 30 нм техпроцесс уменьшается в 2 раза, уровень энергопотребления уменьшается на 30%. Происходит потребление всего трех ватт в ноутбуке последнего поколения модуль DDR-3 объёмом 4 Гб на базе 30 нм памяти , это соответствует трём процентам всей электроэнергии, нужной ноутбукам.

Произведенная Samsung по 30 нм технологии память типа DDR-3, способна работать в модулях с номинальным напряжением 1.5 или 1.35 В. Данные планки могут располагаться в настольных системах, ноутбуков и серверов. Наибольшее производство памяти типа DDR-3 по 30 нм технологии фирмы Samsung планируется через 6 месяцев наступившего года.


03.02.10
Другие новости компьютерного железа:
Добавление комментария
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:

Популярные новости
Новости Hardware
»Компания EIZO представляет новую серию на основе PVA-матрицы
Компания EIZO представляет новую серию компьютерных мониторов, основанных на жидкокристалл...
»AMD представила новые AM3 процессоры Athlon II
Всего два дня остается до выхода весьма новой операционной системы Windows 7, от корпорац...
»Evercool Hawk 1 – охлаждающая подставка для ноутбука
Весна 2010 года выдалась не очень-то теплая, однако, лето обязательно наступит очень жарко...
»Leadtek собирается выпустить GTS 250 со своим дизайном
Один из производственных партнеров NVIDIA, компания Leadtec, собирается выпустить новую ве...
»Компьютер Sony VAIO
Еще один ПК класса «все в одном» появится в июле 2010 года. На этот раз анонс делает фирма...
Перепечатка публикаций разрешается только при размещении ссылки на Razgonu.ru
Компьютерные новости © 2009-2015.