Добавить в избранное | Навигацция по сайту
Навигация
Программы для:
Новости Software
Критическое обновление для Firefox 3.6
Буквально сегодня фирма Mozilla публично подтвердила о наличие в своем интернет-браузере F...
Windows 8 и Windows 7 - кто кого ?
Чаще новости о усовершенствованных операционных системах зависят от релизов каждого соврем...
Google начал борьбу с пиратством
Американская компания Google Inc. добавила в свою поисковую систему защиту от пиратских са...
Microsoft представила Windows Server 2012
Корпорация Microsoft представила Windows Server 2012. По утверждениям компании, данная раз...
AnyDVD 6.6.4.8: снятие защиты с дисков
Обновилась нужная утилита для снятия защиты с любых DVD-дисков....
AnVi Antivirus – не антивирус, а троян
Компания Symantec забила тревогу – в интернете стал распространяться новый троян, умело ма...
Опубликован отчет о спаме от Лаборатории Касперского
«Лаборатория Касперского» в лице аналитического отдела обнародовал результаты последнего и...
Дополнение к антивирусу
Уверены ли вы что вас компьютер в безопасности от вирусов??? "Конечно"- скажете ...
Новости партнеров
  Главная » Оперативная память » Samsung переходит на 30 нм изготовление памяти DDR-3  

Samsung переходит на 30 нм изготовление памяти DDR-3

Samsung переходит на 30 нм изготовление памяти DDR-3

Фирма Samsung одна из некоторых изготовителей полупроводниковых чипов, выручка за данное изобретения по данным 2009 года увеличилась на много рубликов. Южнокорейский промышленный гигант в 2009 году, как информирует сайт CNN, превысил доходы фирмы HP. Компании Samsung в четвёртом квартале 2009 года смогла вернуться к операционной доходности. В производстве полупроводниковых микросхем у Samsung есть ещё огромный плюс - фирма набирает обороты в освоении современных литографических технологиях, и этим она находится впереди своих соперников.

В данное время фирма Samsung проинформировала, что уже имеет образцы двухгигабитных микросхем памяти типа DDR-3, изготовленных по 30 нм технологии. С переходом на следующую ступень техпроцесса Samsung рассчитывает сохранить преимущество в сфере производства памяти. Сравнивая с 40 нм технологией, современная 30 нм технология способна увеличить объёмы производства на 60%. Сравнивая 50 нм и 60 нм память себестоимости производства при переходе на 30 нм техпроцесс уменьшается в 2 раза, уровень энергопотребления уменьшается на 30%. Происходит потребление всего трех ватт в ноутбуке последнего поколения модуль DDR-3 объёмом 4 Гб на базе 30 нм памяти , это соответствует трём процентам всей электроэнергии, нужной ноутбукам.

Произведенная Samsung по 30 нм технологии память типа DDR-3, способна работать в модулях с номинальным напряжением 1.5 или 1.35 В. Данные планки могут располагаться в настольных системах, ноутбуков и серверов. Наибольшее производство памяти типа DDR-3 по 30 нм технологии фирмы Samsung планируется через 6 месяцев наступившего года.


03.02.10
Другие новости компьютерного железа:
Добавление комментария
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:

Популярные новости
Новости Hardware
»Материнские платы формата mini-ITX от Zotac
Для создания порядком компактных настольных вычислительных систем фирма Zotac увлеклась п...
»Медиаплееры Samsung R0 и R1 скоро поступят в продажу
Новость от компании Samsung: в мире стало на два портативных медиаплеера больше. Продажи н...
»Мышь Elecom Nendo Orime с уникальным дизайном
Один из ведущих японских производителей компьютерных и цифровых аксессуаров, компания Elec...
»ЖК-телевизор LG LU4000 с необычным дизайном
Компания LG Electronics анонсировала новую жидкокристаллическую панель LG LU4000. Этот тел...
»Новая серия винчестеров WD VelociRaptor
HDD диски VelociRaptor качественные, сильные и высокопроизводительные жесткие диски, изгот...
Перепечатка публикаций разрешается только при размещении ссылки на Razgonu.ru
Компьютерные новости © 2009-2015.