Добавить в избранное | Навигацция по сайту
Навигация
Программы для:
Новости Software
3D Canvas трехмерный редактор
Есть ли у вас желание учиться работать с 3D моделями, а также самостоятельно изобретать их...
Вышла бета-версия Firefox 18
Неутомимые разработчики из Mozilla Foundation, только недавно представившие Firefox 17, уж...
Microsoft Office для системы MAC OS
Microsoft Office: mac 2011 – это версия пакета офисных программ Microsoft Office 2010, ори...
Avast Free Antivirus бесплатно
Avast Free Antivirus, бесплатно распространяемый антивирус за лицензию которого не нужно п...
Менеджер закачек - Download Manager for Windows
Новое ПО от компания Microsoft. Новинка называется Download Manager for Windows и представ...
Домен РФ
На днях на пресс-конференции в рамках расширенного заседания Коллегии Минкомсвязи, Игорь Щ...
В Adobe Reader и Flash Player найдена уязвимость
Как стало известно, пакеты Adobe Reader и Flash Player имеют критическую уязвимость....
Light Alloy последняя версия
Медиапроигрыватель Light Alloy имеет все основные функции современных программ....
Новости партнеров
  Главная » Оперативная память » Samsung переходит на 30 нм изготовление памяти DDR-3  

Samsung переходит на 30 нм изготовление памяти DDR-3

Samsung переходит на 30 нм изготовление памяти DDR-3

Фирма Samsung одна из некоторых изготовителей полупроводниковых чипов, выручка за данное изобретения по данным 2009 года увеличилась на много рубликов. Южнокорейский промышленный гигант в 2009 году, как информирует сайт CNN, превысил доходы фирмы HP. Компании Samsung в четвёртом квартале 2009 года смогла вернуться к операционной доходности. В производстве полупроводниковых микросхем у Samsung есть ещё огромный плюс - фирма набирает обороты в освоении современных литографических технологиях, и этим она находится впереди своих соперников.

В данное время фирма Samsung проинформировала, что уже имеет образцы двухгигабитных микросхем памяти типа DDR-3, изготовленных по 30 нм технологии. С переходом на следующую ступень техпроцесса Samsung рассчитывает сохранить преимущество в сфере производства памяти. Сравнивая с 40 нм технологией, современная 30 нм технология способна увеличить объёмы производства на 60%. Сравнивая 50 нм и 60 нм память себестоимости производства при переходе на 30 нм техпроцесс уменьшается в 2 раза, уровень энергопотребления уменьшается на 30%. Происходит потребление всего трех ватт в ноутбуке последнего поколения модуль DDR-3 объёмом 4 Гб на базе 30 нм памяти , это соответствует трём процентам всей электроэнергии, нужной ноутбукам.

Произведенная Samsung по 30 нм технологии память типа DDR-3, способна работать в модулях с номинальным напряжением 1.5 или 1.35 В. Данные планки могут располагаться в настольных системах, ноутбуков и серверов. Наибольшее производство памяти типа DDR-3 по 30 нм технологии фирмы Samsung планируется через 6 месяцев наступившего года.


03.02.10
Другие новости компьютерного железа:
Добавление комментария
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:

Популярные новости
Новости Hardware
»Aviator-2 переносные SSD-драйвы с USB 3.0
Фирма Active Media Products (далее – AMP) предложила новую идею – о изготовлении переносно...
»Люди "устали" покупать мобильники
За первые шесть месяцев 2009 года продажи сотовых телефонов в России упали на 34-36% в сра...
»Samsung SE-506AB портативный Blu-ray привод
Корпорация Samsung, ведущий производитель потребительской электроники, объявила о начале п...
»Кулеры Thermalright VRM-R3 и VRM-R4 для видеокарт серии Rade...
Кроме большого VGA-кулера Spitfire, фирма Thermalright произвела выпуск двух интересных по...
»MSI впервые объединит на системной плате разъем AM3 и поддер...
В ассортименте MSI скоро должна появиться первая системная плата этого производителя, осна...
Перепечатка публикаций разрешается только при размещении ссылки на Razgonu.ru
Компьютерные новости © 2009-2015.