Samsung переходит на 30 нм изготовление памяти DDR-3

Фирма Samsung одна из некоторых изготовителей полупроводниковых чипов, выручка за данное изобретения по данным 2009 года увеличилась на много рубликов. Южнокорейский промышленный гигант в 2009 году, как информирует сайт CNN, превысил доходы фирмы HP. Компании Samsung в четвёртом квартале 2009 года смогла вернуться к операционной доходности. В производстве полупроводниковых микросхем у Samsung есть ещё огромный плюс - фирма набирает обороты в освоении современных литографических технологиях, и этим она находится впереди своих соперников.

В данное время фирма Samsung проинформировала, что уже имеет образцы двухгигабитных микросхем памяти типа DDR-3, изготовленных по 30 нм технологии. С переходом на следующую ступень техпроцесса Samsung рассчитывает сохранить преимущество в сфере производства памяти. Сравнивая с 40 нм технологией, современная 30 нм технология способна увеличить объёмы производства на 60%. Сравнивая 50 нм и 60 нм память себестоимости производства при переходе на 30 нм техпроцесс уменьшается в 2 раза, уровень энергопотребления уменьшается на 30%. Происходит потребление всего трех ватт в ноутбуке последнего поколения модуль DDR-3 объёмом 4 Гб на базе 30 нм памяти , это соответствует трём процентам всей электроэнергии, нужной ноутбукам.

Произведенная Samsung по 30 нм технологии память типа DDR-3, способна работать в модулях с номинальным напряжением 1.5 или 1.35 В. Данные планки могут располагаться в настольных системах, ноутбуков и серверов. Наибольшее производство памяти типа DDR-3 по 30 нм технологии фирмы Samsung планируется через 6 месяцев наступившего года.